資料詳細

半導体デバイスシリーズ 2 メモリデバイス・イメージセンサ

權田俊一／編集 -- ゴンダ,シュンイチ -- 丸善 -- 2009.12 -- 549.8

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所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
県図一般	書庫A5層	549.8/ﾊ009 /2	0114486467	一般図書		在架

館名	所蔵数	貸出中数	貸出可能数
県図一般	1	0	1

タイトル	半導体デバイスシリーズ 2
書名カナ	ハンドウタイデバイスシリーズ
著者	權田俊一／編集, 谷口研二／編集
著者カナ	ゴンダ,シュンイチ
出版地	東京
出版者	丸善
出版者カナ	マルゼン
出版年	2009.12
ページ数	20,292p
大きさ	21cm
巻の書名	メモリデバイス・イメージセンサ
巻の書名カナ	メモリデバイスイメージセンサ
各巻著者	角南英夫／編著
各巻著者カナ	スナミ,ヒデオ
一般件名	半導体
内容紹介	メモリデバイスとイメージセンサの動作原理や特性を解説。DRAMからフラッシュメモリへの研究開発の流れをはじめ、FETの代替デバイスの開発状況、市場を二分するCCDとCMOSイメージセンサの実像などを取り上げる。
NDC分類(9版)	549.8
ISBN	4-621-08213-3
ISBN13桁	978-4-621-08213-3
定価	¥5700

第Ⅰ編メモリデバイス
1 メモリデバイスの基礎: 1.1 半導体メモリとは; 1.2 半導体メモリの市場
2 量産中のメモリ: 2.1 DRAM; 2.2 SRAM; 2.3 EEPROM
3 小規模生産中のメモリ: 3.1 FeRAM(強誘電体メモリ); 3.2 MRAM; 3.3 PCM
4 今後に期待されるメモリ: 4.1 抵抗メモリ(ReRAM); 4.2 そのほかに提案されているメモリ; 4.3 実用化の要件
第Ⅱ編イメージセンサ
5 イメージセンサの基礎: 5.1 イメージセンサの基本構成; 5.2 光電変換と信号検出; 5.3 イメージセンサの基本特性
6 CCDイメージセンサ: 6.1 CCD(電荷結合素子)の原理; 6.2 CCDの駆動方式; 6.3 CCDイメージセンサの構造・機能; 6.4 CCDイメージセンサの諸特性
7 CMOSイメージセンサ: 7.1 CMOSイメージセンサの基本構成; 7.2 画素構成; 7.3 CMOSイメージセンサの基本性能とその改善; 7.4 ノイズキャンセル(相関2重サンプリング)と信号読出し