資料詳細

半導体デバイスシリーズ 1 集積ナノデバイス

權田俊一／編集 -- ゴンダ,シュンイチ -- 丸善 -- 2009.11 -- 549.8

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所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
県図一般	書庫A5層	549.8/ﾊ009 /1	0114486525	一般図書		在架

館名	所蔵数	貸出中数	貸出可能数
県図一般	1	0	1

タイトル	半導体デバイスシリーズ 1
書名カナ	ハンドウタイデバイスシリーズ
著者	權田俊一／編集, 谷口研二／編集
著者カナ	ゴンダ,シュンイチ
出版地	東京
出版者	丸善
出版者カナ	マルゼン
出版年	2009.11
ページ数	17,227p
大きさ	21cm
巻の書名	集積ナノデバイス
巻の書名カナ	シュウセキナノデバイス
各巻著者	平本俊郎／編著
各巻著者カナ	ヒラモト,トシロウ
一般件名	半導体
内容紹介	ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法を解説する。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題をまとめたテキスト。
NDC分類(9版)	549.8
ISBN	4-621-08208-9
ISBN13桁	978-4-621-08208-9
定価	¥4800

1 序論: 1.1 スケーリング則とムーアの法則; 1.2 集積ナノデバイスの諸問題; 1.3 本書の構成
2 MOSトランジスタの基礎: 2.1 MOSトランジスタの構造と動作; 2.2 MOSトランジスタの1次近似モデル; 2.3 MOS容量(電荷密度と表面電位の関係); 2.4 pn接合付きMOS容量の少数キャリア; 2.5 長チャネルトランジスタ; 2.6 スケーリング則; 2.7 短チャネルトランジスタ; 2.8 MOSトランジスタにおける量子効果; 2.9 まとめ
3 微細トランジスタの性能向上: 3.1 極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ; 3.2 移動度向上技術(ひずみSi,新チャネル材料); コラム1 3次元構造トランジスタの分類; コラム2 インテルのひずみSi技術について
4 微細化・集積化にともなう諸問題: 4.1 スケーリングによる微細化とその課題; 4.2 微細MOSFETの信頼性; 4.3 ソフトエラー; 4.4 微細トランジスタのばらつき
5 将来展望: 5.1 将来に向けての技術動向; 5.2 集積ナノデバイスマップ; 5.3 将来の集積ナノデバイス候補; 5.4 集積ナノデバイスのビジョンマップ